何品
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叶葱
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邓腾飞
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吴加吉
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张骏驰
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王浩
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2016.03.007
采用磁控溅射和光刻技术制备了1 pm×1 μm的TiN/HfO2/ITO(氧化铟锡)3层结构的器件,通过控制改变正负细丝形成(forming)电压的操作方式来研究其阻变性能.研究结果表明,在上述的两种操作模式下,当保持操作端不变时导电细丝的形成与断裂均发生在ITO端操作,且从电流-电压(I-V)循环曲线中均发现了器件具有自限流特性.同时,文中比较了氧化铟锡(ITO)和铂(Pt)两种电极下,存储器单元阻变性能的差别.结合电流-电压循环曲线的拟合机制,推断出自限流特性来源于氧化铟锡(ITO)电极与氧化铪基阻变层之间形成的界面层.进一步设计了基于氧化铟锡(ITO)电极下的氧化硅/氧化铪双层结构阻变层的器件,发现该器件仍具有自限流效应.而且,氧化硅层同样起到了降低操作电流的作用,故使得器件的功耗大幅度降低至16 μW.
关键词:
阻变存储器
,
自限流特性
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操作电流
,
ITO电极
张艳杰
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邓湘云
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韩立仁
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杨仁波
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王依山
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李德军
功能材料
采用溶胶-凝胶结合二次煅烧的方法制备了高介电常数BaTiO3陶瓷,通过X射线衍射分析得到所制备的体系为四方相和立方相共存结构,从扫描电镜的图像中能观察其晶粒尺寸为1μm。通过TF2000铁电分析仪得到其介电常数在煅烧温度为1310℃,保温时间为4h,室温、测试频率为100Hz、测试电压为100V的条件下最大值为38306。研究了BaTiO3铁电陶瓷的反转电流随温度、频率和电压的影响规律,研究发现随着温度的升高反转电流缓慢降低,而随着电场和频率的增加反转电流迅速升高。从能量的观点也能进一步分析温度和电场对于反转电流的影响。
关键词:
BaTiO3陶瓷
,
高介电常数
,
反转电流
